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NTD4906N: Power MOSFET 30V 54A 5.5 mOhm Single N-Channel DPAK

Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 54 A, Single N-Channel
Rev. 5 (129080kB)
»材料組成を表示
»製品変更通知 (5)
Product Overview
製品説明
Power MOSFET, Single N Channel 30V, 54A DPAK/IPAK
特長   利点
     
  • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
 
  • Improve System Efficiency
  • Low Capacitance to Minimize Driver Losses
 
  • Improve Switching Performance
  • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses
 
  • Improve Switching Performance
  • These are PbFree Devices
 
  • RoHs Compliance
アプリケーション   最終製品
  • CPU Power Delivery
  • DCDC Converters
 
  • Desktop, Game Console, others
技術資料 & デザイン・リソース
デザインおよび開発ツール (2) パッケージ図 (3)
アプリケーション ノート (1) ビデオ (1)
シミュレーション・モデル (4) 評価ボード文書 (9)
データシート (1)  
評価/開発ツール情報
製品 状態 Compliance 簡単な説明 アクション
ONS321A5VGEVB Active
Pb-free
5 Vgs MOSFET Evaluation Board
ONS321B12VGEVB Active
Pb-free
12 Vgs MOSFET Evaluation Board
Avnet (2016-09-22) : 1
Avnet (2016-09-22) : 1
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NTD4906N-1G Last Shipments
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 54A 5.5 mOhm Single N-Channel DPAK IPAK-4 369D 1 Tube 75  
NTD4906N-35G Last Shipments
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 54A 5.5 mOhm Single N-Channel DPAK IPAK-3 369AD 1 Tube 75  
NTD4906NT4G Last Shipments
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 54A 5.5 mOhm Single N-Channel DPAK DPAK-3 369AA 1 Tape and Reel 2500  
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
PandS   (2016-09-22 00:00) : <1K
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
ON Semiconductor   (2016-09-21 00:00) : 96,375
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
PandS   (2016-09-22 00:00) : <1K
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新製品
 

EFC3C001NUZ  Power MOSFET, Dual N-Channel, 20 V, 6 A

  • 2.5 V drive and common drain suitable for 1-2 cell lithium-ion battery protection
  • ESD Diode-Protected Gate
  • 30 mΩ on-state resistance reduces battery consumption

NVATS5A106PLZ  NVATS5A112PLZ  NVATS5A113PLZ  NVATS5A304PLZ  P-Ch Power MOSFETs for Automotive, -40 V to -60 V

  • Low on-resistance as low as 6.5 mΩ
  • High current capability of -120 A
  • 100% avalanche tested to safeguard against overstress failures