General Purpose and Low VCE(sat) Transistors | FJP2145

ESBC™ アプリケーション用 NPNパワートランジスター

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FJP2145は、低コスト、高性能のパワースイッチで、パワーサプライ、モータ ドライバー、スマートグリッド、またはイグニッション スイッチのようなアプリケーションのESBC™構成で利用される場合に最適なパフォーマンスを提供するよう 設計されています。 電源スイッチは、非常に低いオン抵抗と低スイッチング損失を提供する一方、1100ボルトまでと5アンペアまで動作するよう設計されています。 ESBC™ スイッチは、即座に対応可能なパワーサプライコントローラーまたはドライバーを使って、駆動できます。 ESBC™ MOSFETは、低入力容量と高速スイッチングを組み合わせた、低電圧、低コストの表面実装デバイスです。 ESBC™ コンフィギュレーションは、ミラーキャパシタンスを備えていないため、必要な駆動電力をさらに最小化します、 FJP2145は、その正方形の逆バイアス安全動作領域(RBSOA)と堅牢な設計により、優れた信頼性そして広い動作範囲を提供します。 デバイスは、高い電子なだれ耐性で、寄生トランジスターを持ちません、従ってスタティック dv/dtエラーになる傾向はありません。 パワースイッチは、専用の高電圧バイポーラプロセスを使用して製造されており、高電圧TO-220パッケージで提供されます。

  • 低い同等オン抵抗
  • 非常に高速のスイッチ: 150 kHz
  • 広いRBSOA: 最大1100 V
  • 電子なだれ耐性
  • 低駆動容量、ミラー容量なし
  • 低スイッチング損失
  • 信頼性の高いHVスイッチ: 高dv/dt過渡信号による誤トリガーなし

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VCE(sat) Max (V)

IC Cont. (A)

VCEO Min (V)

VCBO (V)

VEBO (V)

VBE(sat) (V)

VBE(on) (V)

hFE Min

hFE Max

fT Min (MHz)

PTM Max (W)

Reference Price

FJP2145TU

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信頼性データ

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Device: FJP2145TU

Equivalent to wafer fab process: TM

製品技術

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等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

TM

21

1953855815

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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