IGBT、1200V 30A FS2 低 VCEsat

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この絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ (IGBT) は、堅牢で費用効率が高いフィールド・ストップ II トレンチ構造が特長であり、要求の厳しいスイッチング・アプリケーションで優れた性能を発揮し、低オン抵抗電圧も最小スイッチング損失も実現します。この IGBT は、モータ・ドライバ・アプリケーションに最適です。低フォワード電圧のソフトで高速な共パッケージ型還流ダイオードが内蔵されています。

  • Motor Drive Inverter
  • Industrial Switching
  • Welding
  • Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology
  • TJmax = 175°C
  • Soft Fast Reverse Recovery Diode
  • Optimized for Low VCEsat
  • 10 µs Short Circuit Capability

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MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

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Family

V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

Reference Price

NGTB30N120L2WG

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

TO-247-3

NA

0

TUBE

30

N

-

1200

30

1.7

1.5

1.4

4.4

450

32

310

10

-

534

Yes

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