Small Signal MOSFETs | FDC610PZ

P チャネル PowerTrench® MOSFET、-30V、-4.9A、42mΩ

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Overview

このチャネル MOSFET は、優れたスイッチング性能のために低ゲート電荷を維持しながら、オン抵抗を最小限に抑えるように特別に構成された高度な PowerTrench® プロセスを使用して製造されます。これらのデバイスは、ロードスイッチ、電源管理、バッテリー充電回路、DC/DC 変換などのバッテリー電源アプリケーションに最適です。

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  • 最大 rDS(on) = 42mΩ @ VGS = -10V、ID = -4.9A
  • 最大 rDS(on) = 75mΩ @ VGS = -4.5V、ID = -3.7A
  • 少量のゲート電荷(通常17nC)
  • 非常に小さいrDS(on)を実現するための高性能なトレンチ技術
  • SuperSOT™ -6 パッケージ: 小さなフットプリント(標準SO-8より72%小さい)、ロープロファイル（厚さ1ミリメートル）。
  • RoHS対応

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDC610PZ

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CAD Model

Pb

A

H

P

TSOT-23-6

419BL

1

260

REEL

3000

N

P-Channel

PowerTrench® T1

SC-6

Small Signal

Logic

0

Single

0

-30

42

25

-3

-4.9

1.6

-

75

10.5

9

755

-

-

-

-

$0.1653

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FDC610PZ

Equivalent to wafer fab process: TV

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

TV

0

1399545734

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Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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