Small Signal MOSFETs | FDC6304P

デュアル P チャネル Digital FET -25V、-0.46A、1.1Ω

Obsolete

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Overview

これらの P チャネル・エンハンスメントモード電界効果トランジスタは、独自の高セル密度の DMOS 技術を使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、低ゲートドライブ状態でオン抵抗を最小化するよう構成されています。このデバイスは、特にノート PC や携帯電話などのバッテリ電源のアプリケーション向けに設計されています。このデバイスは、2.5 V という低さのゲートドライブ電圧でも優れたオン抵抗を発揮します。

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  • -25 V、-0.46 A連続、-1.0 Aピーク
  • RDS(ON) = 1.5 Ω @ VGS= -2.7 V
  • RDS(ON) = 1.1 Ω @ VGS= -4.5 V
  • 非常に低いレベルのゲートドライブ要件によって、3V回路で直接操作が可能。 VGS(th) < 1.5 V
  • ESD堅牢性のためのゲートソースツェナー >6kV人体モデル。

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDC6304P

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

TSOT-23-6

419BL

1

260

REEL

3000

No

P-Channel

PowerTrench® T1

TSOT-23-6

Small Signal

Logic

0

Dual

0

-25

-

-8

-1.5

-0.46

0.9

NA

Q1=Q2=1500

3

1.1

NA

-

-

-

-

Price N/A

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FDC6304P

Equivalent to wafer fab process: TP

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

TP

8

1061074922

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Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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