デュアル P チャネル PowerTrench® MOSFET、1.8V 仕様、-12V、-2.5A、90mΩ

Overview

これら P チャネル 1.8V 仕様 MOSFET は、優れたスイッチング性能のために低ゲート電荷を維持しながら、オン抵抗を最小限に抑えるように特別に構成された高度な PowerTrench® プロセスを使用して製造されます。

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  • -2.5A、-12V。 RDS(ON) = 90mΩ @ VGS = -4.5V RDS(ON) = 125mΩ @ VGS = -2.5V RDS(ON) = 200mΩ @ VGS = -1.8V
  • 超低rDS(ON) 用の高性能トレンチ技術
  • SuperSOT™ -6 パッケージ: 小さなフットプリント (標準SO-8より72%小さい)。低プロファイル (厚さ 1 mm)。

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDC6318P

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CAD Model

Pb

A

H

P

TSOT-23-6

1

260

REEL

3000

Y

P-Channel

PowerTrench® T1

SC-6

Small Signal

Logic

0

Dual Series

0

-12

-

8

-1.5

-2.5

0.96

125

90

-

5.4

455

-

-

-

-

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