Name: N-Channel Shielded Gate Power Trench ® MOSFET, 100 V, 2.7 A, 109 mΩ
Brand: N-Channel Shielded Gate Power Trench ® MOSFET, 100 V, 2.7 A, 109 mΩ
SKU: FDC8601

N チャネル・シールド・ゲート Power Trench® MOSFET、100 V、2.7 A、109 mΩ

Active

Overview

この N チャネル MOSFET は、rDS(on) 、スイッチング性能、堅牢性のために最適化された高度な PowerTrench® プロセスを使用して製造されています。

アプリケーション

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最大R_DS(on)=109mΩ@V_GS=10V、 I_D=2.7A
最大R_DS(on)=176mΩ@V_GS=6V、I_D=2.1A
超低r_DS(on) のための高パフォーマンス技術
広く使われている表面実装パッケージ中の高電力および電流の処理機能
高速スイッチング速度。
UIL 100%テスト済み
RoHS対応

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

V_GS Max (V)

V_gs(th) Max (V)

I_d Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Q_gd Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_rr Typ (nC)

C_oss Typ (pF)

C_rss Typ (pF)

Reference Price

FDC8601

Active

TSOT-23-6

419BL

260

REEL

3000

N-Channel

PowerTrench® T1

SC-6

Small Signal

Standard

Single

100

109

±20

2.7

1.6

1.7

155

0.8

2.2

$0.5032

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製品番号:

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製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

6716497626

Small Signal MOSFETs | FDC8601

N チャネル・シールド・ゲート Power Trench® MOSFET、100 V、2.7 A、109 mΩ

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