N チャネル Power Trench® MOSFET、30 V、8.0 A、16 mΩ

Overview

この N チャネル MOSFET は、rDS (on)、スイッチング性能のために最適化された高度な PowerTrench® プロセスを使用して製造されています。

  • ノートブックPC

  • 最大 rDS(on) = 16 mΩ @ VGS = 10 V、ID = 8.0 A
  • 最大 rDS(on) = 18 mΩ @ VGS = 4.5 V、ID = 7.5 A
  • 超低rDS(on)用の高性能トレンチ技術。
  • 高速スイッチング速度。
  • RoHS対応

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDC8878

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Active

CAD Model

Pb

A

H

P

TSOT-23-6

1

260

REEL

3000

Y

N-Channel

PowerTrench® T1

SC-6

Small Signal

Logic

0

Single

0

30

16

20

3

8

1.6

-

18

2.5

6

782

-

-

-

-

$0.4139

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