Small Signal MOSFETs | FDG6301N

デュアル N チャネル Digital FET 25 V、0.22 A、4 Ω

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Overview

これらのデュアル N チャネル・ロジックレベル・ エンハンスメントモード電界効果トランジスタは、独自の高セル密度の DMOS 技術を使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、特にオン抵抗を最小化するよう構成されています。このデバイスは、バイポーラ・デジタル・トランジスタおよび Small Signal MOSFET の代替として、特に低電圧アプリケーション向けに設計されています。

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  • 25 V、0.22 A 連続、0.65 A ピーク。
  • RDS(ON) = 4 Ω @ VGS= 4.5 V、
  • RDS(ON) = 5 Ω @ VGS= 2.7 V。
  • 非常に低いレベルのゲートドライブ要件によって、3V回路 (VGS(th) <1.5 V) で直接動作が可能。
  • ゲート-ソースツェナー、ESD耐久性 (>6kV人体モデル)。
  • コンパクトな業界標準SC70-6 表面実装型パッケージ

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Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDG6301N

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Device: FDG6301N

Equivalent to wafer fab process: TP

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

TP

8

738717284

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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