デュアル N チャネル・デジタル FET 25V、0.50A、0.45Ω

Lifetime

Overview

これらのデュアル N チャネル・ロジックレベル拡張モード電界効果トランジスタは独自の高セル密度の DMOS 技術を使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、特にオン抵抗を最小化するよう構成されています。このデバイスは、バイポーラデジタルトランジスタおよび Small Signal MOSFET の代替として、特に低電圧アプリケーション向けに設計されています。

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  • 25V、0.50A 連続、1.5Aピーク。
  • RDS(ON) = 0.45 Ω @ VGS= 4.5 V、
  • RDS(ON) = 0.60 Ω @ VGS= 2.7 V.
  • 非常に低いレベルのゲートドライブ要件によって、3V回路 (VGS(th) <1.5 V) で直接動作が可能。
  • ゲート-ソースツェナー、ESD耐久性 (>6kV人体モデル)。
  • コンパクトな業界標準SC70-6 表面実装型パッケージ

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDG6303N

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Lifetime

CAD Model

Pb

A

H

P

SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6

1

260

REEL

3000

N

N-Channel

PowerTrench® T1

SC-6

Small Signal

Logic

0

Dual

0

25

-

8

1.5

0.5

0.3

Q1=Q2=600

Q1=Q2=450

1.4

1.64

50

-

-

-

-

$0.1056

More Details

FDG6303N-F169

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6

1

260

REEL

3000

N

N-Channel

PowerTrench® T1

NA

Small Signal

Logic

0

Dual

0

25

-

8

8

0.5

0.3

600

450

1.64

1.64

50

0.45

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