Small Signal MOSFETs | FDG8850NZ

デュアル N チャネル PowerTrench® MOSFET 30V、0.75A、0.4Ω

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Overview

このデュアル N チャネル・ロジックレベル・エンハンスメントモード電界効果トランジスタは、独自の高セル密度のDMOS技術を使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、特にオン抵抗を最小化するよう構成されています。このデバイスは、バイポーラ・デジタル・トランジスタおよび Small Signal MOSFET の代替として、特に低電圧アプリケーション向けに設計されています。バイアス抵抗は必要ないため、このデュアルデジタル FET が、各種バイアス抵抗値のいくつもの異なるデジタルトランジスタに取って代わることができます。

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  • 最大 rDS(on) = 0.4Ω @ VGS = 4.5V、ID = 0.75A
  • 最大 rDS(on) = 0.5Ω @ VGS = 2.7V、ID = 0.67A
  • 非常に低いレベルのゲートドライブ要件によって、3V回路 (VGS(th) <1.5V) 動作が可能になります。
  • 非常に小さなパッケージ輪郭 SC70-6
  • RoHS対応

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MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDG8850NZ

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90

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Device: FDG8850NZ

Equivalent to wafer fab process: T5

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

T5

0

1599906359

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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