Small Signal MOSFETs | FDMA6023PZT

デュアル P チャネル PowerTrench® MOSFET -20V、-3.6A、60mΩ

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このデバイスは、セルラー・ハンドセットやその他のウルトラポータブル・アプリケーションのバッテリ充電スイッチ用のシングル・パッケージ・ソリューションとして特別に設計されています。伝導損失を最小限に抑えるため、オン抵抗が低い 2 つの独立した P チャネル MOSFET を備えています。一般的な共通ソース構成で接続すると、双方向の電流の流れが可能になります。MicroFET 2X2 薄型パッケージは、その物理的サイズに対して並外れた熱性能を提供し、リニアモードアプリケーションに最適です。

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  • 最大 rDS(on) = 60 mΩ @ VGS = -4.5 V、ID = -3.6 A
  • 最大 rDS(on) = 80 mΩ @ VGS = -2.5 V、ID = -3.0 A
  • 最大 rDS(on) = 110 mΩ @ VGS = -1.8 V、ID = -2.0 A
  • 最大 rDS(on) = 170 mΩ @ VGS = -1.5 V、ID = -1.0 A
  • MicroFET 2x2 mm薄型の新しいパッケージで薄型最大0.55 mm
  • HBM ESD保護レベル >2.4 kV通常(注3)
  • RoHS対応
  • ハロゲン化合物、アンチモン酸化物フリー

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Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

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FDMA6023PZT

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Pb

A

H

P

UDFN-6

517DU

1

260

REEL

3000

No

P-Channel

PowerTrench® T1

Power 33

Small Signal

Logic

0

Dual

0

-20

-

8

-1.5

-3.6

1.4

Q1=Q2=80

Q1=Q2=60

17.5

12

665

-

-

-

-

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FDMA6023PZT

Equivalent to wafer fab process: TV

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

TV

0

1587326882

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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