30V Pチャネル PowerTrench® MOSFET -20V、4.6mΩ

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Overview

このPチャネルMOSFETは、オン抵抗を最小限に抑えるように特別に構成された高度なPowerTrench®プロセスを使用して製造されています。このデバイスは、ノートPCやポータブルバッテリーパックで一般的な電源管理およびロードスイッチアプリケーションに最適です。

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  • • -20 A, -30V。
  • RDS(ON) = 4.6 mΩ @ VGS = -10V
  • RDS(ON) = 6.5 mΩ @ VGS = -4.5V• バッテリ用の拡張VGSS範囲 (-25V)• HBM ESD保護レベル 8kV 通常(注 3)• 超低rDS(ON)用の高性能トレンチ技術• 高い電力および電流処理能力• 端子は鉛フリーでRoHS対応です。
  • Extended VGSS range (–25V) for battery applications
  • HBM ESD protection level of 8kV typical (note 3)
  • High performance trench technology for extremely low RDS(ON)
  • High power and current handling capability
  • Termination is Lead-free and RoHS Compliant

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDS6681Z

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CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

1

260

REEL

2500

N

P-Channel

PowerTrench® T1

SOIC-8

Small Signal

Logic

0

Single

0

-30

4.6

25

-3

-20

2.5

-

6.5

12

105

7540

-

-

-

-

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