デュアル N チャネル・ロジックレベル PWM 最適化 PowerTrench® MOSFET、20V、9.4A、14mΩ

Active

Overview

これらの N チャネル・ロジックレベル MOSFET は、優れたスイッチング性能を維持しながら、オン抵抗を最小限に抑えるように特別に構成された高度な PowerTrench プロセスを使用して製造されています。これらのデバイスは、インライン型の低い電力損失と高速スイッチングが必要な低電圧およびバッテリ駆動アプリケーションに最適です。

  • ă�“ă�®čŁ˝ĺ“�ă�Żĺ¤šć§�ă�Şç”¨é€”ă�«é�©ă�—ă�źć±Žç”¨ĺ“�ă�§ă�™ă€‚

  • 9.4 A、20 V
  • RDS(ON) = 14 mΩ @ VGS = 4.5 V
  • RDS(ON) = 18 mΩ @ VGS = 2.5 V
  • 少量のゲート電荷 (16 nC 通常)
  • ESD保護ダイオード (注 3)
  • 超低rDS(ON) 用の高性能トレンチ技術
  • 高い電力および電流処理能力

Tools and Resources

Product services, tools and other useful resources related to FDS6898AZ

Product List

If you wish to buy products or product samples, please log in to your onsemi account.

検索

Close Search

製品:

1

共有

Product Groups:

Orderable Parts:

1

製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDS6898AZ

Loading...

Active

CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

1

260

REEL

2500

N

N-Channel

PowerTrench® T1

SOIC-8

Small Signal

Logic

0

Dual

0

20

-

12

1.5

9.4

2

Q1=Q2=18

Q1=Q2=14

5.8

16

1821

-

-

-

-

$0.4788

More Details

Show More

1-25 of 25

Products per page

Jump to :

contact sales icon

Support on the go

Find and compare products, get support and connect with onsemi sales team.