Small Signal MOSFETs | FDS8960C

デュアルN & PチャネルPowerTrench® MOSFET 35V

Obsolete

Datasheet

製品

Overview

これらのデュアルN&Pチャネル拡張モード電界効果トランジスタは、オン抵抗を最小限に抑えながら優れたスイッチング性能を維持するように特別に構成された高度なPowerTrench®プロセスを使用して製造されています。 電力損失と高速スイッチングが必要です。これらのデバイスは、低インライン電力損失と高速スイッチングが必要な低電圧およびバッテリー駆動アプリケーションに最適です。

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  • Q1: Nチャンネル7.0A、35V
  • RDS(ON) = 0.032 Ω @ VGS = 4.5VQ2: Pチャンネル -5A、-35V
  • 高速スイッチング速度
  • RoHS対応

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDS8960C

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

751EB

1

260

REEL

2500

N

Complementary

PowerTrench® T1

NA

Small Signal

Logic

0

Dual

0

±35

N:24.0,P:53.0

25

±3

N: 7.0. P: -5.0

2

NA

-

5

5.7

NA

-

-

-

-

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