コモン・ドレイン N チャネル 2.5V PowerTrench® WL-CSP MOSFET 24V、7A、23mΩ

Obsolete

Overview

このデバイスは、リチウムイオン・バッテリ・パック保護回路およびその他ウルトラ・ポータブル・アプリケーション向けのシングル・パッケージ・ソリューションとして特別に設計されています。最先端の「低ピッチ」WLCSP パッケージング・プロセスを使用した高度な PowerTrench® プロセスで、双方向の電流の流れを可能にする 2 つのコモン・ドレイン N チャネル MOSFET を特長とする FDZ1416NZ は、PCB スペースおよび rS1S2(on) の両方を最小限に抑えます。この高度な WLCSP MOSFET はパッケージング技術の進歩を体現し、これにより、デバイスでの優れた熱伝達特性、ウルトラ・ロープロファイルのパッケージング、低ゲート電荷、および低 rS1S2(on) の組み合わせを実現しました。

  • 携帯電話端末
  • Battery Management
  • Load Switch
  • Battery Protection
  • 最大rS1S2(on) = 23 mΩ @VGS = 4.5 V、IS1S2 = 1 A
  • 最大rS1S2(on) = 25 mΩ @ VGS = 4 V、IS1S2 = 1 A
  • 最大rS1S2(on) = 28 mΩ @ VGS = 3.1 V、IS1S2 = 1 A
  • 最大 rS1S2(on) = 33 mΩ @ VGS = 2.5 V、IS1S2 = 1 A
  • 占有するPCB面積はわずか2.2 mm2
  • 超薄型パッケージ: PCBにマウントされている高さ 0.35 mm未満
  • 高い電力および電流処理能力
  • HBM ESD保護レベル >3.2 kV (注 3)
  • RoHS対応

Tools and Resources

Product services, tools and other useful resources related to FDZ1416NZ

Buy/Parametrics Table

検索

Close Search

製品:

1

共有

Product Groups:

Orderable Parts:

1

製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDZ1416NZ

Loading...

Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

WLCSP-4

1

260

REEL

5000

No

N-Channel

PowerTrench® T1

NA

Small Signal

Logic

0

Dual Common Drain

0

24

-

12

1.3

7

1.7

Q1=Q2=33

Q1=Q2=23

-

12

1140

-

-

-

-

Price N/A

More Details

Show More

1-25 of 25

Products per page

Jump to :

contact sales icon

Support on the go

Find and compare products, get support and connect with onsemi sales team.