Small Signal MOSFETs | FDZ197PZ

-20V Pチャネル 1.5V駆動 PowerTrench® 薄型WL-CSP MOSFET

Obsolete

Datasheet

購入

Overview

最先端の「ファインピッチ」WLCSPパッケージプロセスを用い、フェアチャイルドの高度な1.5VPowerTrench® プロセスで設計されており、FDZ197PZは、PCBスペースとrDS(on)の両方を最小限に抑えます。 この高度なWLCSP MOSFETは、デバイスが優れた熱伝導特性、超低プロファイルパッケージ、少量のゲート電荷、および低rDS(ON)を組み合わせることができるパッケージング技術における飛躍的進歩に具体化されています。

  • ă�“ă�®čŁ˝ĺ“�ă�Żĺ¤šć§�ă�Şç”¨é€”ă�«é�©ă�—ă�źć±Žç”¨ĺ“�ă�§ă�™ă€‚
  • Battery Management
  • Load Switch
  • Battery Protection
  • 最大 rDS(on) = 64 mΩ @ VGS = -4.5 V、ID = -2.0 A
  • 最大 rDS(on) = 71 mmΩ @ VGS = -2.5 V、ID= -2.0 A
  • 最大 rDS(on) = 79 mmΩ @ VGS = -1.8 V、ID = -1.0 A
  • 最大 rDS(on) = 95 mmΩ @ VGS = -1.5 V、ID = -1.0 A
  • 基板面積のわずか1.5mm2を占めています。2x2BGAの50％未満です。
  • 超薄型パッケージ: プリント基板装着時、高さ0.65ミリメートル未満
  • ESD保護保護済
  • RoHS対応

Tools and Resources

Product services, tools and other useful resources related to FDZ197PZ

CAD Model

CAD Model

材料組成

製品変更通知

Buy/Parametrics Table

検索

Close Search

製品:

1

共有

並べ替え

Product Groups:

┗

Orderable Parts:

1

製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDZ197PZ

Loading...

Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

WLCSP-6

567PW

1

260

REEL

5000

No

P-Channel

PowerTrench® T1

NA

Small Signal

Logic

0

Single

0

-20

64

8

-1

-3.8

1.9

NA

71

11

18

NA

-

-

-

-

Price N/A

More Details

Show More

1-25 of 25

Products per page

Jump to :

1
contact sales icon

Support on the go

Find and compare products, get support and connect with onsemi sales team.