Small Signal MOSFETs | FQS4903

N チャネルQFET® MOSFET 500V、0.37A、6.2Ω

Obsolete

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Overview

この N チャネル・エンハンスメントモード・パワー MOSFET は、当社独自のプレーナ・ストライプおよび DMOS 技術を使用して製造されています。この高度な MOSFET 技術は、オン抵抗を低減し、スイッチング性能とアバランシェ・エネルギー強度を向上させるよう構成されています。これらのデバイスは、スイッチ・モード電源、アクティブ力率補正 (PFC) 、および電子ランプ・バラストに適しています。

  • 照明用
  • 0.37A、500V、RDS（on）=6.2Ω（最大）@VGS=10V、ID=0.185A
  • 少量のゲート電荷 (通常 6.3nC)
  • 低Crss (通常 4.5pF）
  • 100%電子なだれテスト済み

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FQS4903TF

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

751EB

1

260

REEL

3000

No

N-Channel

PowerTrench® T1

SOIC-8

Small Signal

Standard

0

Dual

0

500

Q1=Q2=6200

±30

4

0.37

2

-

-

-

6.3

155

3.63

175

25

4.5

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FQS4903TF

Equivalent to wafer fab process: 3D

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

3D

10

2342695283

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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