Pチャネル Logic Level 拡張モード電界効果トランジスタ -30V、-0.9A、300mΩ

Overview

これらのPチャネルLogic Level 拡張モード電界効果トランジスタは、独自の高セル密度のDMOS技術を使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、特にオン抵抗を最小化するよう構成されています。特に、これらのデバイスは、非常に小さな外形の表面実装パッケージで迅速なハイサイドスイッチングおよびインライン電力損失の低減が必要なノートPCの電源管理、ポータブル電子機器、およびその他のバッテリー駆動回路の低電圧アプリケーションに適しています。

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  • -0.9 A, -30 V
    rDS(ON) = 0.5 Ω @ VGS = -4.5 V
    rDS(ON) = 0.3 Ω @ VGS = -10 V
  • Industry Standard Outline SOT-23 Surface Mount Package Using Proprietary SuperSOT™-3 Design for Superior Thermal and Electrical Capabilities.
  • High Density Cell Design for Extremely Low rDS(ON)
  • Exceptional On-Resistance and Maximum DC Current Capability

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

NDS352AP

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CAD Model

Pb

A

H

P

SOT-23-3

1

260

REEL

3000

No

P-Channel

PowerTrench® T1

SOT-23

Small Signal

Logic

0

NA

0

-30

300

20

-3

-0.9

0.5

-

500

3.5

2

135

-

-

-

-

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