NVHL080N120SC1: Silicon Carbide MOSFET、Nチャネル、1200 V、80 mΩ、TO247−3L

Datasheet: MOSFET - SiC Power, Single N-Channel
Rev. 3 (291kB)
製品概要
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製品変更通知
Silicon Carbide (SiC) MOSFET は、シリコンに比べて 優れた スイッチング性能 と 高い信頼性 を実現する 新しい技術を採用しています。さらに、オン抵抗の低減およびコンパクトなチップ サイズにより、 低 容量 と ゲート 電荷 を保証します。 その結果、システムの利点として、最高の効率、高速動作周波数、電力密度の増加、EMIの削減、システムサイズの縮小が含まれます。
特長   利点
     
  • 1200V rated
 
  • Typical RDS(on) = 80mΩ
  • Max RDS(on) = 110mΩ at Vgs = 20V, Id = 20A
   
  • High Speed Switching and Low Capacitance
   
  • 100% UIL Tested
   
  • Qualified for Automotive According to AEC−Q101
   
  • Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant
   
アプリケーション   最終製品
  • PFC
  • OBC
 
  • Automotive DC/DC converter for EV/PHEV
  • Automotive On Board Charger
  • Automotive Auxiliary Motor Drive
評価/開発ツール情報
製品 状態 Compliance 簡単な説明 アクション
SEC-3PH-11-OBC-EVB Active
Pb-free
Three-phase On Board Charger (OBC) PFC-LLC platform
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
Temperature
タイプ
数量
NVHL080N120SC1 Active, Not Rec
AEC Qualified
PPAP Capable
Pb-free
Halide free
NVHL080N120SC1 TO-247-3LD 340CX NA Tube 450 $5.5356
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
FutureElectronics   (2020-08-19) : <1K
Case Outline
340CX   
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Overview of Wide Bandgap and Silicon Carbide (SiC) Capabilities
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