デュアル N & P チャネル・デジタル FET 25V

Obsolete

Overview

これらのデュアル N & P チャネル・ロジックレベル ・エンハンスメントモード電界効果トランジスタは、独自の高セル密度の DMOS 技術を使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、特にオン抵抗を最小化するよう構成されています。このデバイスは、ロード・スイッチ・アプリケーションのバイポーラ・デジタル・トランジスタの代替として、特に低電圧アプリケーション向けに設計が改善されています。バイアス抵抗は必要ないため、このデュアル・デジタル FET が、差異バイアス抵抗のいくつものデジタル・トランジスタに取って代わることができます。

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  • N-Ch 25 V、0.22 A、RDS(ON) = 5 Ω @ VGS= 2.7 V。
  • P-Ch 25 V、-0.12 A、RDS(ON) = 13 Ω @ VGS= -2.7 V。
  • 非常に低いレベルのゲートドライブ要件によって、3V回路で直接操作が可能。 VGS(th) < 1.5 V。
  • ESD堅牢性のためのゲートソースツェナー >6kV 人体モデル
  • NPNとPNPデジタルトランジスターを代替

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDC6320C

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

TSOT-23-6

1

260

REEL

3000

No

Complementary

PowerTrench® T1

TSOT-23-6

Small Signal

Logic

0

Dual

0

±25

-

-8

1.5

N: 0.22, P: -0.12

0.9

NA

N: 5000, P:13000

-

0.23

NA

-

-

-

-

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