FFSM0465A: SiC ダイオード - 650V、4A、PQFN88

Datasheet: Silicon Carbide Schottky Diode 650 V, 4 A
Rev. 1 (148kB)
製品概要
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製品変更通知
炭化ケイ素 (SiC) ショットキー・ダイオードは、 シリコンに比べて優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現する新しい技術を採用しています。逆回復電流がなく、温度から独立したスイッチング特性で、 優れた熱性能の炭化ケイ素は、次世代のパワー・セミコンダクターとなります。システムの利点として、最高の効率、高速動作周波数、電力密度の増加、EMI の削減、システムのサイズの縮小とコストの削減があります。Llew
特長
 
  • Max Junction Temperature 175 °C
  • High Surge Current Capacity
  • Positive Temperature Coefficient
  • No Reverse Recovery / No Forward Recovery
アプリケーション
  • PFC
  • Industrial Power
  • Solar
  • EV Charger
  • UPS
  • Welding
Availability & Samples
Specifications
Interactive Block Diagram
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
Temperature
タイプ
数量
FFSM0465A Active
Pb-free
Halide free
FFSM0465A PQFN-4 483AP 1 260 Tape and Reel 3000 $1.648
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
ON Semiconductor   (2020-09-02 00:00) : 3,000

Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Family
Configuration
VRRM (V)
IF(ave) (A)
VF (Max)
IFSM (A)
IR (Max) (µA)
Package Type
FFSM0465A  
 $1.648 
Pb
H
 Active   
D1
Single
650
4
1.75
PQFN-4
Case Outline
483AP   
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