IGBT Modules | NXH80B120L2Q0

パワー・インテグレーテッド・モジュール、デュアル・ブースト、1200 V、40 A IGBT + 1200 V、30 A Si ダイオード

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NXH80B120L2Q0SG は、2 つの 40A/1200V IGBT、2 つの 30A/1200V シリコン・ダイオード、 2 つの IGBT 用 25A/1600V 逆並列ダイオードで構成されるデュアル・ブースト・ステージを含むパワー・モジュールです。突入電流制限に使用される追加の 25A/1600V バイパス・レクティファイヤが 2 つ含まれます。オンボード・サーミスタが含まれます。

  • Solar Inverter Boost Stage

  • Solar Inverter
  • UPS

  • IGBT Specifications: VCE(SAT) = 2.2 V, ESW = 2830 uJ
  • 25 A / 1600 V Bypass and Anti−parallel Diodes
  • Si Rectifier Specification: VF = 2.4 V, IRRM = 53 A
  • Solderable Pins
  • Dual Boost 40 A / 1200 V IGBT + Si Rectifier Module
  • Thermistor

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