PHOENIX, Arizona – 10. Mai 2022 – onsemi

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Neuer Baustein mit 60% kleinerem Gehäuse, mehr Leistungsfähigkeit und weniger Verlusten

PHOENIX, Arizona – 10. Mai 2022 – onsemi (Nasdaq: ON), ein führender Anbieter intelligenter Leistungselektronik und Sensorik, stellt auf der PCIM Europe den branchenweit ersten Siliziumkarbid-/SiC-MOSFET im TO-Leadless-/TOLL-Gehäuse vor. Der Transistor adressiert den wachsenden Bedarf an hochleistungsfähigen Schaltern, die für Designs mit hoher Leistungsdichte vorgesehen sind. Bis vor kurzem wurden SiC-Bauelemente in 7-poligen D2PAK-Gehäusen ausgeliefert, die deutlich mehr Platz benötigten.

Mit einer Grundfläche von nur 9,9 mm x 11,7 mm bietet das TOLL-Gehäuse gegenüber einem D2PAK an die 30% weniger Platzbedarf auf der Leiterplatte – und bei einer Bauhöhe von nur 2,3 mm nimmt es 60% weniger Volumen ein als ein D2PAK-Gehäuse.

Zusätzlich zu seiner kleineren Größe bietet das TOLL-Gehäuse ein besseres Wärmeverhalten und eine geringere Gehäuse-Induktivität (2 nH) als ein 7-Pin-D2PAK. Seine Kelvin-Source-Konfiguration sorgt für geringeres Gate-Rauschen und niedrigere Schaltverluste – einschließlich 60% weniger Einschaltverluste (EON) im Vergleich zu einem Bauelement ohne Kelvin-Konfiguration. Damit wird auch bei anspruchsvollen Leistungselektronikdesigns eine deutlich höhere Effizienz und Leistungsdichte sichergestellt, genauso wie eine verbesserte EMI und einfacheres PCB-Design.

„Die Fähigkeit, hochzuverlässige Stromversorgung auf kleinem Raum bereitzustellen, wird in vielen Bereichen zu einem Wettbewerbsvorteil, einschließlich industrieller Hochleistungsstromversorgungen und Serveranwendungen“, so Asif Jakwani, Senior Vice President und General Manager der Advanced Power Division bei onsemi. „Das Einbinden unserer SiC-MOSFETs in TOLL-Gehäuse reduziert nicht nur den Platzbedarf, sondern verbessert auch die Leistungsfähigkeit in vielen Bereichen wie EMI und reduziert die Verluste. Das Ergebnis ist ein äußerst zuverlässiger und robuster Hochleistungsschalter, der Leistungselektronik-Entwicklern hilft, die strengen Anforderungen beim Power-Design zu erfüllen.“

SiC-Bauelemente bieten gegenüber ihren Silizium-Vorgängern erhebliche Vorteile, darunter einen höheren Wirkungsgrad bei hohen Frequenzen, geringere EMI, Betrieb bei höheren Temperaturen und mehr Zuverlässigkeit. onsemi ist der einzige Anbieter von SiC-Bauelementen mit vertikaler Integrationsfähigkeit, einschließlich SiC-Boule-Wachstum, Substrat, Epitaxie, Chip-Fertigung, integrierten Modulen und diskreten Gehäuselösungen.

Der erste SiC-MOSFET im TOLL-Gehäuse ist der NTBL045N065SC1, der für anspruchsvolle Anwendungen wie Schaltnetzteile (SMPS), Server- und Telekommunikations-Netzteile, Solarwechselrichter, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) und Energiespeicher vorgesehen ist. Der Baustein eignet sich für Designs, die hohe Effizienzstandards wie ErP und 80 PLUS Titanium erfüllen müssen.

Der NTBL045N065SC1 hat eine UDSS-Spannung von 650 V mit einem typischen RDS(on) von nur 33 mΩ und einem maximalen Drain-Strom (ID) von 73 A. Basierend auf der Wide-Bandgap-/WBG-SiC-Technologie bietet der Baustein eine maximale Betriebstemperatur von 175 °C und eine extrem niedrige Gate-Ladung (QG(tot) = 105 nC), die die Schaltverluste erheblich reduziert. Darüber hinaus ist das TOLL-Gehäuse als MSL 1 (Moisture Sensitivity Level; Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe 1) eingestuft, was sicherstellt, dass die Ausfallraten in der Serienfertigung reduziert werden.

Darüber hinaus bietet onsemi Automotive-konforme Bausteine in 3- und 4-poligen TO-247-Gehäusen sowie 7-poligen D2PAK-Gehäusen an.

Über onsemi:
onsemi (Nasdaq: ON) treibt bahnbrechende Neuerungen voran, um eine bessere Zukunft zu schaffen. Das Unternehmen konzentriert sich auf die Endmärkte Automotive und Industrie und beschleunigt den Wandel bei Megatrends wie Elektrifizierung und Sicherheit von Fahrzeugen, nachhaltige Energienetze, industrielle Automatisierung sowie 5G- und Cloud-Infrastruktur. Mit einem hochdifferenzierten und innovativen Angebot entwickelt onsemi intelligente Leistungselektronik und Sensorlösungen, um selbst komplexeste Herausforderungen zu lösen und den Weg zu einer sichereren, saubereren und intelligenteren Welt zu ebnen.

オンセミ (onsemi) について

オンセミ (Nasdaq: ON) は、より良い未来を築くために、破壊的なイノベーションを推進しています。当社は、自動車と産業用エンドマーケットに注力し、自動車の電動化と安全性、持続可能なエネル ギーグリッド、産業オートメーション、5G およびクラウドインフラなどのメガトレンドにおける変化を加速させています。オンセミは、高度に差別化された革新的な製品ポートフォリオにより、世界の最も複雑な課題を 解決するインテリジェントなパワーおよびセンシングのテクノロジを創出し、より安全でクリーンでスマートな世界を 実現する方法をリードしています。オンセミは Fortune 500® 企業として認められ、また S&P 500® インデックスに含まれています。オンセミの詳細については、www.onsemi.jpをご覧ください。

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オンセミおよびオンセミのロゴは、Semiconductor Components Industries, LLC.の登録商標です。 本ドキュメントに掲載されているその他のブランド名および製品名は、それぞれの所有者の登録商標または商標です。 本ニュースリリースでは、当社のウェブサイトを参照していますが、ウェブサイト上の情報はここには記載されていません。

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