オン・セミコンダクター、新フルSiC MOSFETモジュールによる、電気自動車向け 充電ソリューションをAPEC 2021で発表

Umfassendes Angebot an Wide-Bandgap-(WBG-)Bausteinen für hochleistungsfähige Ladelösungen

APEC 2021 – PHOENIX, Arizona – 7. Juni 2021 – ON Semiconductor® (Nasdaq: ON), Vorreiter im Bereich energieeffizienter Innovationen, stellt zwei neue 1200V-Siliziumkarbid-(SiC-)MOSFET-2-PACK-Module vor, die das Angebot für den anspruchsvollen Markt für Elektrofahrzeuge (EV) erweitern.

Da der Absatz von Elektrofahrzeugen weiter zunimmt, muss die Infrastruktur ausgebaut werden, um den Bedürfnissen der Fahrer gerecht zu werden. Ein Netz von Schnellladestationen muss bereitstehen, um Fahrten schnell und ohne Reichweitenangst durchführen zu können. Die Anforderungen in diesem Bereich entwickeln sich rasant weiter und erfordern eine Leistung von mehr als 350 kW und Wirkungsgrade von 95%, die zur Norm werden. Angesichts der unterschiedlichen Umgebungen und Standorte, an denen diese Ladegeräte eingesetzt werden, sind Kompaktheit, Robustheit und erhöhte Zuverlässigkeit die Herausforderungen, denen sich die Entwickler stellen müssen.

Die neuen 1200V-M1-SiC-MOSFET-2-Pack-Module, die auf Planar-Technologie basieren und für eine Ansteuerspannung im Bereich von 18 bis 20 V geeignet sind, lassen sich einfach mit negativen Gate-Spannungen ansteuern. Der größere Chip (Die) verringert den Wärmewiderstand im Vergleich zu Trench-MOSFETs, was die Chip-Temperatur bei gleicher Betriebstemperatur verringert.

Der als 2-PACK-Halbbrücke konfigurierte NXH010P120MNF ist ein 10mΩ-Baustein im F1-Gehäuse. Der NXH006P120MNF2 ist ein 6mΩ-Baustein im F2-Gehäuse. Die Gehäuse verfügen über Einpressstifte, die sie ideal für industrielle Anwendungen machen. Ein integrierter Thermistor mit negativem Temperaturkoeffizienten (NTC) erleichtert die Temperaturüberwachung.

Als Teil des EV-Lade-Ökosystems von ON Semiconductor wurden die neuen SiC-MOSFET-Module für den Einsatz mit Treibern der Serie NCD5700x entwickelt. Der kürzlich eingeführte isolierte 2-Kanal-IGBT/MOSFET-Gate-Treiber NCD57252 bietet eine galvanische Trennung von 5 kV und lässt sich für einen Dual-Low-Side-, Dual-High-Side- oder Halbbrückenbetrieb konfigurieren.

Der NCD57252 wird im kleinen SOIC-16-Gehäuse ausgeliefert und akzeptiert Logikpegel-Eingänge (3,3; 5 und 15 V). Der für hohe Ströme taugliche Baustein (Quelle 4 A / Senke 6 A bei Miller-Plateau-Spannung) eignet sich für den Highspeed-Betrieb, da die typische Laufzeitverzögerung 60 ns beträgt.

Ergänzt werden die neuen Module und der Gate-Treiber durch ON Semiconductors SiC MOSFETs, die im Vergleich zu ähnlichen Si-Bausteinen ein besseres Schalt- und Wärmeverhalten bieten. Dies führt zu einem höheren Wirkungsgrad, mehr Leistungsdichte, weniger elektromagnetischen Störungen (EMI) sowie einer geringeren Systemgröße mit verringertem Gewicht.

Die kürzlich vorgestellten 650V-SiC-MOSFETs basieren auf einem neuen Design für aktive Zellen in Kombination mit einer fortschrittlichen Dünnwafer-Technologie, die eine erstklassige Güte (FoM) für (RDS(on) x Fläche) ermöglicht. Bausteine dieser Serie, wie der NVBG015N065SC1, NTBG015N065SC1, NVH4L015N065SC1 und NTH4L015N065SC bieten den branchenweit niedrigsten RDS(on) für MOSFETs im D2PAK7L-/TO247-Gehäuse.

Die 1200V- und 900V-n-Kanal-SiC-MOSFETs zeichnen sich durch eine kleine Chipgröße aus, was die Bauelementkapazität und die Gate-Ladung (Qg bis zu 220 nC) reduziert und damit die Schaltverluste beim Betrieb mit den von EV-Ladegeräten geforderten hohen Frequenzen verringert.

Während der APEC 2021 wird ON Semiconductor seine SiC-Lösungen für industrielle Anwendungen vorstellen und hält Vorträge zu seinen Lösungen für das Off-Board-Laden von EVs ab. Um sich für die APEC 2021 zu registrieren, besuchen Sie: http://apec-conf.org/conference/registration/

Weitere Informationen:

Über ON Semiconductor
ON Semiconductor (Nasdaq: ON) ist Innovationstreiber im Bereich energieeffizienter Elektronik und trägt dazu bei, die Welt umweltfreundlicher, sicherer, integrativer und vernetzter zu machen. Das Unternehmen ist ein führender Anbieter halbleiterbasierter Lösungen für die Bereiche Leistungselektronik, Analog, Sensorik und Konnektivität. Unsere Produkte helfen Entwicklern, ihre Designherausforderungen in den Bereichen Automotive, Industrie, Cloud und Internet der Dinge (IoT) zu bewältigen. ON Semiconductor verfügt über eine erstklassige, schnell reagierende und zuverlässige Lieferkette. Qualitätssicherung und ein robustes Programm für Umwelt, Soziales und Unternehmensführung stehen an erster Stelle. Das Unternehmen hat seinen Hauptsitz in Phoenix, Arizona, und verfügt über weltweite Fertigungsstätten, Vertriebsniederlassungen und Entwicklungszentren in seinen wichtigsten Märkten.

オンセミ (onsemi) について

オンセミ (Nasdaq: ON) は、より良い未来を築くために、破壊的なイノベーションを推進しています。当社は、自動車と産業用エンドマーケットに注力し、自動車の電動化と安全性、持続可能なエネルギーグリッド、産業オートメーション、5G およびクラウドインフラなどのメガトレンドにおける変化を加速させています。オンセミは、高度に差別化された革新的な製品ポートフォリオにより、世界の最も複雑な課題を解決するインテリジェントなパワーおよびセンシングのテクノロジーを創出し、より安全でクリーンでスマートな世界を実現する方法をリードしています。オンセミは Fortune 500®企業として認められ、またNasdaq-100 Index®とS&P 500®インデックスに含まれています。オンセミの詳細については、www.onsemi.jpをご覧ください。

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