オン・セミコンダクター、新フルSiC MOSFETモジュールによる、電気自動車向け 充電ソリューションをAPEC 2021で発表

APEC 2021 - PHOENIX, Arizona - 7 juin 2021 –

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Une gamme complète de dispositifs à large bandgap pour des solutions de charge à hautes performances

APEC 2021 - PHOENIX, Arizona - 7 juin 2021 – ON Semiconductor® (Nasdaq : ON), un leader des innovations à haut rendement énergétique, annonce deux modules MOSFET 1200 V constitués intégralement de transistors en carbure de silicium (SiC) qui viennent renforcer sa gamme de produits adapté au marché exigeant des véhicules électriques (EV).

Alors que les ventes de véhicules électriques continuent de croître, des infrastructures doivent être déployées pour répondre aux besoins des automobilistes, en instaurant des réseaux de bornes de recharge rapide qui leur permettent de terminer leurs trajets sans délai et sans « l’angoisse de l'autonomie ». Les exigences dans ce secteur évoluent très vite, imposant des niveaux de puissance supérieurs à 350 kW et des rendements de 95 % comme étant la « norme ». Compte tenu de la diversité des environnements et des emplacements dans lesquels ces chargeurs sont déployés, la compacité, la robustesse et une fiabilité accrue sont autant de défis auxquels les concepteurs doivent faire face.

Les nouveaux modules MOSFET 1200 V 2 pack M1 intégralement en SiC, basés sur de la technologie planar et conçus pour une tension de commande comprise entre 18 et 20 V, sont simples à piloter avec des tensions de grille négatives. La puce électronique étant plus grande, la résistance thermique est plus faible par rapport aux MOSFET silicum trench, réduisant ainsi la température de la puce lors du fonctionnement.

Configuré en topologie demi-pont 2-PACK, le NXH010P120MNF est un composant de 10 mohms logé dans un boîtier F1 tandis que le NXH006P120MNF2 est un composant de 6 mohms logé dans un boîtier F2. Ces boîtiers sont équipés de broches à insertion, ce qui les rend idéaux pour les applications industrielles. Une thermistance à coefficient de température négatif (negative temperature coefficient, NTC) intégrée facilite le contrôle de la température.

Dans le cadre de l'écosystème de recharge des véhicules électriques de ON Semiconductor, les nouveaux modules SiC MOSFET ont été conçus pour fonctionner avec des pilotes telles que les omposants NCD5700x. Le pilote de grille IGBT/MOSFET isolé à double canal NCD57252 récemment introduit offre une isolation galvanique de 5 kV et peut être configuré pour un fonctionnement dual de côté bas, dual de côté haut ou en demi-pont.

Le NCD57252 est logé dans un petit boîtier SOIC-16 et accepte les tensions logiques d’entrée (3,3 V, 5 V et 15 V). Sa forte capacité en courant (source 4,0 A / collecteur 6,0 A à la tension du plateau de Miller) est adapté à un fonctionnement à grande vitesse car les délais de propagation typiques sont de 60 ns.

En offrant des performances de commutation supérieures et une meilleure résistance thermique par rapport aux dispositifs en silicium similaires, les MOSFET SiC de ON Semiconductor viennent compléter les nouveaux modules et pilotes de grille. Il en résulte un meilleur rendement, une plus grande densité de puissance, une amélioration des interférences électromagnétiques (EMI) et une réduction de la taille et du poids du système.

Les MOSFET SiC 650 V récemment annoncés utilisent une nouvelle conception de cellule active associée à une technologie avancée de wafers minces permettant d'obtenir le meilleur facteur de mérite (figure of merit, FoM) pour (RDS(on)*area) de sa catégorie. Les composants de cette série tels que les NVBG015N065SC1, NTBG015N065SC1, NVH4L015N065SC1 et NTH4L015N065SC offrent le plus faible RDS(on) du marché pour les MOSFET en boîtier D2PAK7L / TO247.

Les MOSFET SiC à canal N de 1200 V et 900 V se caractérisent par leur puce de petite taille qui réduit la valeur capacitive du composant et la charge de grille (avec un Qg aussi bas que 220 nC), ce qui restreint les pertes de commutation lors du fonctionnement aux fréquences élevées exigées par les chargeurs pour véhicules électriques.

Au cours de l'APEC 2021, ON Semiconductor présentera une solution SiC pour les applications industrielles et proposera des séminaires exposant les solutions de l'entreprise concernant la recharge externe des véhicules électriques. Pour vous inscrire en tant que visiteur à APEC 2021, veuillez visiter ttp://apec-conf.org/conference/registration/

Ressources et documents supplémentaires :

À propos de ON Semiconductor
ON Semiconductor (Nasdaq : ON) est à l'origine d'innovations électroniques écoénergétiques qui contribuent à rendre le monde plus vert, plus sûr, plus inclusif et plus connecté. La société est devenue un fournisseur de choix pour nos clients en matière de solutions d'alimentation, analogiques, de capteurs et de connectivité. Nos produits de qualité supérieure aident les ingénieurs à résoudre leurs défis de conception les plus pointus dans les applications automobiles, industrielles, d'alimentation pour le cloud et pour l'Internet des objets (IoT).
ON Semiconductor exploite une chaîne d'approvisionnement et des programmes de qualité réactifs et fiables, ainsi que des programmes ESG robustes. Basée à Phoenix, en Arizona, la société dispose d'un réseau mondial d'usines de fabrication, de bureaux de vente et de marketing et de centres d'ingénierie sur ses principaux marchés

オンセミ (onsemi) について

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