オン・セミコンダクター、PCIM Europe 2021で新世代のSUPERFET MOSFETとSiCダイオードを発表

2021年5月4日:

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新製品はパワーアプリケーション向けに高効率を実現

2021年5月4日: オン・セミコンダクターは、スーパージャンクション(SJ)MOSFET と SiCダイオードの新製品を発表しました。

パワーアプリケーションにおいて、効率性と信頼性はますます重要になってきており、機器メーカーがより厳しい国際基準を満たすためにも重要です。650VのSUPERFET® III FAST SJ MOSFET は、他の SJ MOSFET と比べて優れたスイッチング性能を持ち、効率とシステムの信頼性を向上させます。これらの特徴は、5G、電気自動車(EV)の充電ステーション、通信、サーバー分野など、急成長する市場で高い需要があります。

オン・セミコンダクターは、EV充電ステーションやソーラーインバータ、UPS、電気自動車(EV)用オンボード充電器(OBC)、EV DC-DCコンバータなどの高電力アプリケーションに最適な、車載向けAECQ101認証済み、およびインダストリアルグレードに対応した次世代の 1200V SiC ダイオードも発表しました。SiC ダイオードは、シリコン製のダイオードに比べて信頼性が高く、低EMIで、冷却が容易であるなどの大きな利点があります。新製品の NVDSH20120C は、第1世代の SiC ダイオードに比べて、ダイサイズの縮小し、静電容量を低減しています。このシリーズ(NVDSH20120C, NDSH20120C, NVDSH50120C, NDSH50120C)は、順方向電圧降下の低減と定格電流の 4 倍化を実現し、変化率(di/dt)が 3500A/µs と高くなっています。また、ダイサイズを小さくすることで、F2パッケージにおける熱抵抗を 20% 低減しています。

オンセミ (onsemi) について

オンセミ (Nasdaq: ON) は、より良い未来を築くために、破壊的なイノベーションを推進しています。オンセミは、自動車と産業用エンドマーケットに注力し、自動車の電動化と安全性、持続可能なエネル ギーグリッド、産業オートメーション、5G およびクラウドインフラなどのメガトレンドにおける変化を加速させています。オンセミは、高度に差別化された革新的な製品ポートフォリオにより、世界の最も複雑な課題を 解決するインテリジェントなパワーおよびセンシングのテクノロジを創出し、より安全でクリーンでスマートな世界を 実現する方法をリードしています。

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