NチャネルSupreMOS® MOSFET 600V、6.8A、520mΩ

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フェアチャイルドの次世代高電圧スーパージャンクション技術であるSupreMOS® MOSFETは、以前のマルチEPIベース技術と異なる深いトレンチ充填プロセスを採用しています。 この高度な技術と精密なプロセス制御は超低Rsp、優れたスイッチング性能と耐久性を提供します。 SuperFET MOSFETは、PFC、サーバー/テレコム電源、FPDテレビの電源、ATX電源と産業用電力用途などの高周波数スイッチング電源コンバーター用途に最適です。

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  • RDS(on) = 460mΩ ( 通常) @ VGS = 10V、 ID = 3.4A
  • 超少量のゲート電荷 (通常 Qg = 17.8nC )
  • 低実効出力容量 (通常 Coss.eff = 91pF )
  • 100%電子なだれテスト済み
  • RoHS対応

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MSL Type

MSL Temp (°C)

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ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

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N

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520

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