FDD5N50NZF

パワー MOSFET、N チャネル、UniFETTM II、FRFET®、500 V、3.7 A、1.75 Ω、DPAK

Overview

UniFETTM II MOSFET は、プレーナ・ストライプおよび DMOS 技術をベースとした高電圧 MOSFET ファミリです。この高度な MOSFET ファミリは、プレーナ MOSFET の中で最小のオン抵抗を備え、優れたスイッチング性能と高いアバランシェ・エネルギー強度も提供します。さらに、内部のゲート・ソース間の ESD ダイオードにより、UniFET II MOSFET は 2kV 以上の HBM サージ電圧に対応することができます。UniFET II FRFET® MOSFET のボディ・ダイオードの逆回復性能は、ライフタイム制御によって強化されています。trr は 100nsec 未満で、逆の dv / dt 耐量は 15V / ns です。通常のプレーナ MOSFET はそれぞれ 200nsec および 4.5V / nsec を超えています。そのため、追加のコンポーネントを削除することができ、MOSFET のボディ・ダイオードの性能が重要な特定のアプリケーションでシステムの信頼性を向上させることができます。このデバイスファミリは、力率改善 (PFC)、フラットパネルディスプレイ (FPD) TV 電源、ATX、電子ランプバラストなどのスイッチング電源コンバーターアプリケーションに適しています。

アプリケーション

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特長

R_DS(on) = 1.47Ω (通常)@ V_GS = 10V、 I_D = 1.85A
少量のゲート電荷 (通常 9nC)
低C_rss (通常 4pF)
100%電子なだれテスト済み
改良されたdv/dt能力
ESD機能改善
RoHS対応

材料組成

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDD5N50NZFTM

Last Shipments

DPAK-3 / TO-252-3

369AS

260

REEL

2500

500

1750

N-Channel

Single

±25

3.7

62.5

365

Price N/A

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