FDD6690A

30V NチャネルPowerTrench® MOSFET

Overview

このPチャンネルロジックレベルMOSFETは、フェアチャイルドセミコンダクターの高度なPowerTrenchプロセスを使用して製造されています。特にオン状態の抵抗を最小化するように調整されていますが、少量のゲート電荷を維持することにより、優れたスイッチング性能を発揮します。

アプリケーション

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特長

46 A、30 V
R_DS(on) = 12 mΩ @ V_GS = 10 V
R_DS(on) = 14 mΩ @ V_GS = 4.5 V
少量のゲート電荷
高速スイッチング速度。
超低R_DS(on)
用の高性能トレンチ技術

材料組成

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDD6690A

Last Shipments

DPAK-3 / TO-252-3

369AS

260

REEL

2500

N-Channel

Single

1230

Price N/A

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