パワー MOSFET、N チャネル、UniFETTM、FRFET®、500 V、5.5 A、1.15 Ω、DPAK

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Overview

UniFETTM MOSFET は、プレーナ・ストライプおよび DMOS 技術をベースとした高電圧 MOSFET ファミリです。この MOSFET は、オン抵抗を低減し、スイッチング性能とアバランシェ・エネルギー強度を向上させるよう構成されています。UniFETFRFET® MOSFET のボディ・ダイオードの逆回復性能は、ライフタイム制御によって強化されています。trr は 100nsec 未満で、逆の dv/dt 耐量は 15V/ns ですが、通常のプレーナ MOSFET はそれぞれ 200nsec および 4.5V/nsec を超えています。そのため、追加のコンポーネントを削除することができ、MOSFET のボディ・ダイオードの性能が重要な特定のアプリケーションでシステムの信頼性を向上させることができます。このデバイス・ファミリは、力率改善 (PFC) 、フラットパネル・ディスプレイ (FPD) TV 電源、ATX、電子ランプ・バラストなどのスイッチング電源コンバータ・アプリケーションに適しています。

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  • RDS(on) = 950mΩ (通常)@ VGS = 10V、ID = 2.75A
  • 少量のゲート電荷 (通常 15nC)
  • 低Crss (通常 6.3pF)
  • 100%電子なだれテスト済み
  • 改良されたdv/dt能力
  • RoHS対応

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V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

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