N チャネル PowerTrench® MOSFET 30V、174A、1.3mΩ

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Overview

この N チャネル MOSFET は、オン抵抗を最小限に抑えるように特別に構成された高度な Power Trench® プロセスを使用して製造されます。このデバイスは、高性能 VRM、POL、Oring 機能などの小さなスペースで非常に低い rDS(on) が必要なアプリケーションに最適です。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.
  • 175°Cまでの拡張TJ定格
  • 最大rDS(on) = 1.3 mΩ at VGS = 10 V, ID = 30 A
  • 最大rDS(on) = 1.8 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 25 A
  • 超低rDS(オン)の高パフォーマンス技術
  • 端子は鉛フリーで RoHS 対応です

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDMC8010ET30

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

PQFN-8

1

260

REEL

3000

N

30

1.3

N-Channel

Single

20

2.5

174

65

-

1.8

18

32

4405

Price N/A

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