FDMD8260LET60

デュアル N チャネル Power Trench® MOSFET 60V、5.8m Ω

Overview

このデバイスには、デュアル Power (3.3 mm X 5 mm MLP) パッケージに 2 つの 60V N チャネル MOSFET が含まれています。HS ソースと LS ドレインは、ハーフ/フルブリッジ、低ソース・インダクタンス・パッケージ、低 rDS(on)/Qg FOM シリコン用に内部接続しています。

アプリケーション

This product is general usage and suitable for many different applications.

特長

175°Cまでの拡張TJ定格
最大 r_DS(on) = 4.9 mΩ @ V_GS = 10 V、I_D= 15 A
最大 r_DS(on) = 7.7 mΩ @ V_GS = 4.5 V、I_D = 12 A
ブリッジトポロジーの一次側の柔軟なレイアウトに最適
100% UILテスト済み
ケルビンハイサイド MOSFET 駆動ピン配列機能
端子は鉛フリーで RoHS 対応です

材料組成

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDMD8260LET60

Last Shipments

PQFN-12

483BN

260

REEL

3000

Q1=Q2=5.8

N-Channel

Dual

±20

Q1=Q2=8.7

3745

Price N/A

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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デュアル N チャネル Power Trench® MOSFET 60V、5.8m Ω

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