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FGAF20N60SMD: IGBT、600V、20A、フィールドストップ

Datasheet: FGAF20N60SMDJP-D.pdf
Rev. A (1058kB)
製品概要
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»材料組成を表示
» 製品変更通知
当社の新シリーズのフィールドストップ第 2 世代 IGBT は、新しいフィールドストップ IGBT 技術を用いて、低い伝導損失およびスイッチング損失が必要不可欠な消費者向けアプライアンス、モーション制御および家庭用アプライアンスに最適な性能を提供します。
特長
 
  • 最大接合部温度: TJ = 175°C
  • 簡単に並列操作するための正の温度係数
  • 高電流能力
  • 低飽和電圧: VCE(sat)=1.7V(通常.) @IC=20A
  • 高入力インピーダンス
  • 高速スイッチング: EOFF=7uJ/A
  • 厳格なパラメータ分布
  • RoHS対応
アプリケーション
  • 家電製品
  • モーションコントロール - ホームアプライアンス
技術資料 & デザイン・リソース
データシート (1) パッケージ図 (1)
Availability & Samples
Specifications
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
Temperature
タイプ
数量
FGAF20N60SMD Active
Pb-free
FGAF20N60SMD TO-3PF-3L 340AH NA Tube 360 $1.9
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory

Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
V(BR)CES Typ (V)
IC Max (A)
VCE(sat) Typ (V)
VF Typ (V)
Eoff Typ (mJ)
Eon Typ (mJ)
Trr Typ (ns)
Irr Typ (A)
Gate Charge Typ (nC)
Short Circuit Withstand (µs)
EAS Typ (mJ)
PD Max (W)
Co-Packaged Diode
Package Type
FGAF20N60SMD  
 $1.9 
Pb
 Active   
600
20
1.7
2.3
0.141
0.452
88.2
-
64
-
-
75
Yes
TO-3PF-3L
Case Outline
340AH   
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