NGTB40N60FL2: IGBT, 600V 40A Solar/UPS
|
|
»信頼性データを表示する
»材料組成を表示 » 製品変更通知 |
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and
cost effective Field Stop II Trench construction, and provides superior
performance in demanding switching applications, offering both low
on state voltage and minimal switching loss. The IGBT is well suited
for UPS and solar applications. Incorporated into the device is a soft
and fast co−packaged free wheeling diode with a low forward voltage.
| 特長 | |
|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| アプリケーション |
|---|
|
技術資料 & デザイン・リソース
| アプリケーション ノート (3) | データシート (1) |
| リファレンス・マニュアル (1) | パッケージ図 (1) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Case Outline |
|
|
|
|
|||||||||||||
| NGTB40N60FL2WG | Last Shipments |
|
NGTB40N60FL2 | TO-247-3 | 340AL | NA | Tube | 30 | ||||||||||
| マーケットリードタイム(週) | : | Contact Factory |
Case Outline
340AL
| デザイン・サポート |