EFC4C002NL: 3 セル・リチウムイオン・バッテリ保護用デュアル N チャネル・パワー MOSFET、30 V、30 A、2.6 mΩ
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この N チャネル・パワー MOSFET はオン・セミコンダクターの Trench 技術を用いて製造し、ゲート電荷の最小化と抵抗の超低減を目的として設計されています。このデバイスはドローンやノートブック PC などのアプリケーションに適しています。
特長 | 利点 | ||||
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アプリケーション | 最終製品 | |
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技術資料 & デザイン・リソース
データシート (1) | パッケージ図 (1) |
Availability & Samples
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Specifications
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Case Outline |
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EFC4C002NLTDG | Active |
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EFC4C002NL | WLCSP-8 | 567MC | NA | Tape and Reel | 5000 | $1.0649
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マーケットリードタイム(週) | : | Contact Factory |
Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Channel Polarity
Configuration
V(BR)DSS Min (V)
VGS Max (V)
VGS(th) Max (V)
ID Max (A)
PD Max (W)
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
Ciss Typ (pF)
Package Type
EFC4C002NLTDG
$1.0649
Pb
A
H
P
Active
N-Channel
Dual
30
20
2.2
30
2.6
-
Q1=Q2=5.1
Q1=Q2=2.6
21.7
45
6200
WLCSP-8
Case Outline
567MC
デザイン・サポート |