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FDC3535: P チャネル Power Trench® MOSFET、-80 V、-2.1 A、183 mΩ

Datasheet: P-Channel Power Trench MOSFET -80 V, -2.1 A, 183 m-Ohm
Rev. 2 (253kB)
製品概要
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» 製品変更通知
この P チャネル MOSFET は、rDS (ON)、スイッチング性能、堅牢性のために最適化された高度な PowerTrench®プロセスを使用して製造されています。
特長
 
  • 最大 rDS(on) = 183 mΩ @ VGS = -10 V、ID = -2.1 A
  • 最大 rDS(on) = 233 mΩ @ VGS = -4.5 V、ID = -1.9 A
  • 超低rDS(on)
    用の高性能トレンチ技術。
  • 広く使われている表面実装パッケージ中の高電力および電流の処理機能
  • 高速スイッチング速度。
  • UIL 100%テスト済み
  • RoHS対応
アプリケーション
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評価/開発ツール情報
製品 状態 Compliance 簡単な説明 アクション
LIGHTING-1-GEVK Active
Pb-free
Connected Lighting Platform for LED Control
FutureElectronics (2020-08-19) : 4
Availability & Samples
Specifications
Interactive Block Diagram
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
Temperature
タイプ
数量
FDC3535 Active
Pb-free
Halide free
FDC3535 TSOT-23-6 419BL 1 260 Tape and Reel 3000 $0.2467
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory

Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Channel Polarity
Configuration
V(BR)DSS Min (V)
VGS Max (V)
VGS(th) Max (V)
ID Max (A)
PD Max (W)
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
Ciss Typ (pF)
Package Type
FDC3535  
 $0.2467 
Pb
H
 Active   
P-Channel
Single
-80
±20
-3
-2.1
1.6
-
233
183
-
6.8
659
TSOT-23-6
Case Outline
419BL   
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