FDD10N20LZ: パワー MOSFET、N チャネル、ロジックレベル、UniFETTM、200 V、7.6 A、360 mΩ、DPAK
|
|
»信頼性データを表示する
»材料組成を表示 » 製品変更通知 |
UniFETTM MOSFET は、プレーナストライプおよび DMOS 技術をベースとした高電圧 MOSFET ファミリです。この MOSFET は、オン抵抗を低減し、スイッチング性能とアバランシェ・エネルギー強度を向上させるよう構成されています。このデバイス・ファミリは、力率改善 (PFC) 、フラットパネル・ディスプレイ (FPD) TV 電源、ATX、電子ランプ・バラストなどのスイッチング電源コンバータ・アプリケーションに適しています。
| 特長 | |
|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| アプリケーション |
|---|
|
技術資料 & デザイン・リソース
| ソフトウェア (7) | パッケージ図 (1) |
| アプリケーション ノート (12) | ビデオ (2) |
| シミュレーション・モデル (2) | 評価ボード文書 (5) |
| データシート (1) |
評価/開発ツール情報
| 製品 | 状態 | Compliance | 簡単な説明 | アクション | |
|---|---|---|---|---|---|
| LIGHTING-1-GEVK | Active |
|
Connected Lighting Platform for LED Control |
| FutureElectronics (2020-08-19) | : | 4 |
|
Availability & Samples
|
Specifications
|
Interactive Block Diagram
|
Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Channel Polarity
Configuration
V(BR)DSS Min (V)
VGS Max (V)
VGS(th) Max (V)
ID Max (A)
PD Max (W)
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
Ciss Typ (pF)
Package Type
FDD10N20LZTM
$0.3185
Pb
A
H
P
Active
N-Channel
Single
200
±20
3
7.6
83
-
400
360
-
12
440
DPAK-3 / TO-252-3
Case Outline
369AS
Application
Diagram - Block
Your request has been submitted for approval.
Please allow 2-5 business days for a response.
You will receive an email when your request is approved.
Please allow 2-5 business days for a response.
You will receive an email when your request is approved.
Request for this document already exists and is waiting for approval.