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FDD10N20LZ: パワー MOSFET、N チャネル、ロジックレベル、UniFETTM、200 V、7.6 A、360 mΩ、DPAK

Datasheet: FDD10N20LZJP-D.pdf
Rev. A (720kB)
製品概要
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»材料組成を表示
» 製品変更通知
UniFETTM MOSFET は、プレーナストライプおよび DMOS 技術をベースとした高電圧 MOSFET ファミリです。この MOSFET は、オン抵抗を低減し、スイッチング性能とアバランシェ・エネルギー強度を向上させるよう構成されています。このデバイス・ファミリは、力率改善 (PFC) 、フラットパネル・ディスプレイ (FPD) TV 電源、ATX、電子ランプ・バラストなどのスイッチング電源コンバータ・アプリケーションに適しています。
特長
 
  • RDS(on) = 300mΩ (通常)@ VGS = 10V、 ID = 3.8A
  • 少量のゲート電荷 (通常 12nC)
  • 低Crss (通常 11pF)
  • 100%電子なだれテスト済み
  • 改良されたdv/dt能力
  • ESD機能改善
  • RoHS対応
アプリケーション
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評価/開発ツール情報
製品 状態 Compliance 簡単な説明 アクション
LIGHTING-1-GEVK Active
Pb-free
Connected Lighting Platform for LED Control
FutureElectronics (2020-08-19) : 4
Availability & Samples
Specifications
Intaractive Block Diagram
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
Temperature
タイプ
数量
FDD10N20LZTM Active
Pb-free
Halide free
FDD10N20LZ DPAK-3 / TO-252-3 369AS 1 260 Tape and Reel 2500 $0.3185
マーケットリードタイム(週) : 4 to 8
ON Semiconductor   (2020-09-02 00:00) : 52,500

Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Channel Polarity
Configuration
V(BR)DSS Min (V)
VGS Max (V)
VGS(th) Max (V)
ID Max (A)
PD Max (W)
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
Ciss Typ (pF)
Package Type
FDD10N20LZTM  
 $0.3185 
Pb
H
 Active   
N-Channel
Single
200
±20
3
7.6
83
-
400
360
-
12
440
DPAK-3 / TO-252-3
Case Outline
369AS   
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