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FQT13N06L: Power MOSFET、Nチャネル、Logic Level、QFET®、60 V、2.8 A、110 mΩ、SOT-223

Datasheet: FQT13N06LJP-D.pdf
Rev. A (908kB)
製品概要
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» 製品変更通知
このNチャネル拡張モードPower MOSFETはフェアチャイルド・セミコンダクター独自のプレーナストライプおよびDMOS技術を使用して製造されています。この高度なMOSFET技術は、オン抵抗を低減し、スイッチング性能とアバランシェエネルギー強度を向上させるよう構成されています。これらのデバイスは、スイッチモード電源、オーディオアンプ、DCモーター制御、および可変スイッチング電源アプリケーションに適しています。
特長
 
  • 2.8A、60V、RDS(on) = 140mΩ(最大) @VGS = 10 V、ID = 1.4A
  • 少量のゲート電荷 (通常 4.8nC)
  • 低Crss (通常 17pF)
  • 100%電子なだれテスト済み
アプリケーション
  • LED TV
  • 家電製品
  • その他の産業用
評価/開発ツール情報
製品 状態 Compliance 簡単な説明 アクション
SECO-RANGEFINDER-GEVK Active
Pb-free
SiPM Direct Time of Flight (dToF) LiDAR
Availability & Samples
Specifications
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
Temperature
タイプ
数量
FQT13N06LTF Active
Pb-free
FQT13N06L SOT-223-4 / TO-261-4 318H-01 1 260 Tape and Reel 4000 $0.1736
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory

Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Channel Polarity
Configuration
V(BR)DSS Min (V)
VGS Max (V)
VGS(th) Max (V)
ID Max (A)
PD Max (W)
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
Ciss Typ (pF)
Package Type
FQT13N06LTF  
 $0.1736 
Pb
 Active   
N-Channel
Single
60
±20
2.5
2.8
2.1
-
140
110
-
4.8
270
SOT-223-4 / TO-261-4
Case Outline
318H-01   
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