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NXH80B120L2Q0: パワー・インテグレーテッド・モジュール、デュアル・ブースト、1200 V、40 A IGBT + 1200 V、30 A Si ダイオード

Datasheet: Q0 - Dual Boost Power Module
Rev. 0 (261kB)
製品概要
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NXH80B120L2Q0SG は、2 つの 40A/1200V IGBT、2 つの 30A/1200V シリコン・ダイオード、 2 つの IGBT 用 25A/1600V 逆並列ダイオードで構成されるデュアル・ブースト・ステージを含むパワー・モジュールです。突入電流制限に使用される追加の 25A/1600V バイパス・レクティファイヤが 2 つ含まれます。オンボード・サーミスタが含まれます。
特長   利点
     
  • IGBT Specifications: VCE(SAT) = 2.2 V, ESW = 2830 uJ
 
  • Fast IGBT with low VCE(SAT) for high efficiency
  • 25 A / 1600 V Bypass and Anti−parallel Diodes
 
  • Low VF bypass diodes for excellent efficiency in bypass mode
  • Si Rectifier Specification: VF = 2.4 V, IRRM = 53 A
 
  • Si Diode for moderate speed switching
  • Solderable Pins
 
  • Easy mounting
  • Dual Boost 40 A / 1200 V IGBT + Si Rectifier Module
   
  • Thermistor
   
アプリケーション   最終製品
  • Solar Inverter Boost Stage
 
  • Solar Inverter
  • UPS
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
Temperature
タイプ
数量
NXH80B120L2Q0SNG Obsolete
Pb-free
Halide free
NXH80B120L2Q0, Nickel-plated DBC Q0 180AJ NA BTRAY 24  
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
Case Outline
180AJ   
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