FCI25N60N

パワー MOSFET、N チャネル、SUPREMOS®、FAST、600 V、25 A、125 mΩ、I2PAK

Overview

SupreMOS®MOSFET は、従来の SJ MOSFET とは異なる Deep Trench 充填プロセスを採用した次世代の高電圧スーパージャンクション (SJ) 技術です。この先端技術と正確なプロセス制御により、最小の Rsp オン抵抗、優れたスイッチング性能、堅牢性が実現します。SupreMOS MOSFET は、PFC、サーバ/テレコム電源、FPD TV 電源、ATX 電源、産業用電源アプリケーションなどの高周波スイッチング電源コンバータ・アプリケーションに非常に適しています。

アプリケーション

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特長

R_DS（on） = 107mΩ (通常) @V_GS = 10V、I_D = 12.5A
超少量のゲート電荷 (通常 Q_g = 57nC )
低実効出力容量 (通常 C_oss.eff = 262pF )
100%電子なだれテスト済み
RoHS対応

材料組成

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FCI25N60N-F102

Last Shipments

I2PAK-3 / D2PAK-3 STRAIGHT LEAD

418AV

TUBE

1000

600

125

N-Channel

Single

216

2520

Price N/A

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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