FDD3N50NZ

パワー MOSFET、N チャネル、UniFETTM II、500 V、3 A、2.5 Ω、DPAK

Overview

UniFETTM II MOSFET は、プレーナ・ストライプおよび DMOS 技術をベースとした高電圧 MOSFET ファミリです。この高度な MOSFET ファミリは、プレーナ MOSFET の中で最小のオン抵抗を備え、優れたスイッチング性能と高いアバランシェ・エネルギー強度も提供します。さらに、内部のゲート・ソース間の ESD ダイオードにより、UniFET II MOSFET は 2kV 以上の HBM サージ電圧に対応することができます。このデバイス・ファミリは、力率改善 (PFC)、フラット・パネル・ディスプレイ (FPD) TV 電源、ATX、電子ランプ・バラストなどのスイッチング電源コンバータ・アプリケーションに適しています。

アプリケーション

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特長

R_DS（on）=2.1Ω（通常）@V_GS=10V、I_D=1.25A
少量のゲート電荷 (通常 6.2nC）
低C_rss (通常 2.5pF）
100%電子なだれテスト済み
改良されたdv/dt能力
ESD機能改善
RoHS対応

材料組成

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDD3N50NZTM

Last Shipments

DPAK-3 / TO-252-3

369AS

260

REEL

2500

500

2500

N-Channel

Single

±30

2.5

6.2

210

Price N/A

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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