FDFME3N311ZT

30V 統合型 NチャネルPowerTrench® MOSFET + ショットキーダイオード

Overview

このデバイスは、携帯電話のハンドセットや他のウルトラポータブルアプリケーションにおける、ブーストトポロジーに対するシングルパッケージソリューションとして、明確に設計されています。低い入力容量、総ゲート電荷、オン状態抵抗のMOSFETという特徴を備えています。ブースト効率を最大化するための、低いフォワード電圧と逆リーク電流を備えた独立して接続したショットキーダイオード
MicroFET 1.6x1.6の薄型パッケージは、小さいサイズで非常に優れた熱的性能を提供しています、また、スイッチングとリニアモードアプリケーションに適しています。

アプリケーション

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特長

最大 r_DS(on) = 299 mΩ @ V_GS = 4.5 V、I_D = 1.6 A
最大 r_DS(on) = 410 mΩ @ V_GS = 2.5 V、I_D = 1.3 A
低プロファイル新パッケージMicroFET 1.6x1.6 Thinで、最大0.55mm
ハロゲン化合物、アンチモン酸化物フリー
HBM ESD保護レベル> 1600V (注 3)
RoHS対応

材料組成

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDFME3N311ZT

Obsolete

UDFN-6

517DW

260

REEL

5000

299

N-Channel

with Schottky Diode

1.5

1.8

1.4

410

Price N/A

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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