FDG311N

N チャネル PowerTrench® MOSFET、2.5V 仕様、1.9、115 mΩ

Overview

この N チャネル MOSFET は、優れたスイッチング性能のために低ゲート電荷を維持しながら、オン抵抗を最小限に抑えるように特別に構成された高度な PowerTrench プロセスを使用して製造されています。これらのデバイスは、ポータブル・エレクトロニクス・アプリケーションに最適です。

アプリケーション

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特長

1.9 A、 20 V. R_DS(ON) = 0.115 Ω @ V_GS = 4.5 V、R_DS(ON) = 0.150 Ω @ V_GS = 2.5 V.
R_DS(ON) = 0.115 Ω @ V_GS = 4.5 V
R_DS(ON) = 0.150 Ω @ V_GS = 2.5 V
少量のゲート電荷 (通常3nC）。
超低R_DS(ON)用の高性能トレンチ技術
コンパクトな業界標準 SC70-6表面実装パッケージ

材料組成

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDG311N

Obsolete

SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6

419B-02

260

REEL

3000

N-Channel

Single

1.5

1.9

0.75

150

115

1.64

270

Price N/A

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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