FDG313N

NチャネルデジタルFET 25V、0.95A、0.45Ω

Overview

このNチャネル拡張モード電界効果トランジスタは、フェアチャイルド独自の高セル密度のDMOS技術を使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、特にオン抵抗を最小化するよう構成されています。このデバイスは、バイポーラデジタルトランジスタおよびSmall Signal MOSFETの代替として、特に低電圧アプリケーション向けに設計されています。

アプリケーション

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特長

0.95 A、25 V、R_DS(on) = 0.45 Ω @ V_GS = 4.5 V、 R_DS(on) = 0.60 Ω @ V_GS = 2.7 V。
少量のゲート電荷 (通常1.64 nC)
ゲート駆動要件が非常に低いレベルであるため、3V回路(V_GS(th)1.5V)で直接操作が可能。
ESD耐性のためのゲート-ソースツェナー(6kV人体モデル)
コンパクトな業界標準 SC70-6表面実装パッケージ

材料組成

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDG313N

Obsolete

SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6

419AD

260

REEL

3000

N-Channel

Single

1.5

0.95

0.75

620

450

1.64

Price N/A

製品番号:

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