FDG315N

N チャネル・ロジックレベル PowerTrench® MOSFET 30 V、2 A、120 mΩ

Overview

この N チャネル・ロジックレベル MOSFETは、優れたスイッチング性能を維持しながら、オン抵抗を最小限に抑えるように特別に構成された高度な PowerTrench プロセスを使用して製造されています。これらのデバイスは、インライン型の低い電力損失と高速スイッチングが必要な低電圧およびバッテリー駆動アプリケーションに最適です。

アプリケーション

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特長

2 A、 30 A V. R_DS(on) = 0.12 Ω @ V_GS = 10 V. R_DS(on) = 0.16 Ω @ V_GS = 4.5 V.
R_DS(on) = 0.12 Ω @ V_GS = 10 V
R_DS(on) = 0.16 Ω @ V_GS = 4.5 V
少量のゲート電荷 (2.1nC 通常)。
超低R_DS(ON)用の高性能トレンチ技術。
コンパクトな業界標準 SC70-6表面実装パッケージ

材料組成

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDG315N

Last Shipments

SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6

419B-02

260

REEL

3000

120

N-Channel

Single

0.75

160

4.5

2.1

220

Price N/A

製品番号:

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