FDG8842CZ

相補型 PowerTrench® MOSFET 30V/-25V

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これらの N & P チャネル・ロジックレベル・エンハンスメントモード電界効果トランジスタは、独自の高セル密度の DMOS 技術を使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、特にオン抵抗を最小化するよう構成されています。このデバイスは、バイポーラ・デジタル・トランジスタおよび Small Signal MOSFET の代替として、特に低電圧アプリケーション向けに設計されています。バイアス抵抗は必要ないため、このデュアルデジタル FET が、各種バイアス抵抗値のいくつもの異なるデジタルトランジスタに取って代わることができます。

アプリケーション

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特長

Q1: Nチャンネル
Q2: P-Channel
Max r_DS(on) = 1.1Ω at V_GS = -4.5V, I_D = -0.41A
Max r_DS(on) = 1.5Ω at V_GS = -2.7V, I_D = -0.25A
非常に低いレベルのゲートドライブ要件は、3V回路(V_GS(th) <1.5V)で直接操作を許可します。
非常に小さなパッケージ輪郭 SC70-6
RoHS対応

材料組成

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDG8842CZ

Lifetime

SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6

419AD

260

REEL

3000

±25

Complementary

Dual

-8

±1.5

N:0.75, P: -0.41

0.36

N:500, P:1500

N: 400, P: 1100

1.2

$0.1767

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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