N チャネル・シールド・ゲート PowerTrench® MOSFET 80 V、51 A、10.9 mΩ

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Overview

この N チャネル MV MOSFET は、シールド・ゲート技術を組み込んだオン・セミコンダクターの高度な PowerTrench プロセスを使用して製造されています。このプロセスは、オン抵抗を最小限に抑えながら、ベストインクラスのソフトボディ・ダイオードで優れたスイッチング性能を維持するように最適化されています。

  • High performance DC-DC converters
  • Primary DC−DC MOSFET
  • AC-DC Synchronous Rectification
  • Motor Control
  • Solar
  • Netcom/Telecom
  • AC-Adapter
  • Power Tools
  • 50% Lower Qrr than Other MOSFET Suppliers
  • Shielded Gate MOSFET Technology
  • Max RDS(on) = 10.9 mΩ @ VGS = 10 V, ID = 16 A
  • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant
  • Max RDS(on) = 18.4 mΩ @ VGS = 4.5 V, ID = 13 A
  • Lowers Switching Noise/EMI
  • MSL1 Robust Package Design
  • 100% UIL Tested

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状態

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDMC010N08LC

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Pb

A

H

P

PQFN-8

1

260

REEL

3000

N

80

10.9

N-Channel

Single

±20

3

50

2.3

-

18.4

11

22

1525

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