N チャネル Power Trench® MOSFET 30V、18A、8.0mΩ

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Overview

この N チャネル MOSFET は、オン抵抗を最小限に抑えるように特別に構成された高度な Power Trench® プロセスを使用して製造されます。このデバイスは、ノート PC やポータブル・バッテリパックで一般的な電源管理およびロードスイッチ・アプリケーションに最適です。

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  • 最大 rDS(on) = 8.0mΩ @ VGS = 10V、ID = 12A
  • 最大 rDS(on) = 13.0mΩ @ VGS = 4.5V、ID = 10A
  • 超低rDS(on) のための高パフォーマンス技術
  • 端子は鉛フリーでRoHS対応です。

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

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FDMC8296

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Pb

A

H

P

WDFN-8

1

260

REEL

3000

N

30

8

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3

18

27

-

13

-

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