デュアル N チャネル PowerTrench® MOSFET 100V 48A、9.9mΩ

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Overview

このデバイスには、デュアル Power (5 mm X 6 mm) パッケージに 2 つの 100V N チャネル MOSFET が含まれています。HS ソースと LS ドレインは、ハーフ/フルブリッジ、低ソース・インダクタンス・パッケージ、低 rDS(on)/Qg FOM シリコン用に内部接続しています。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.
  • Q1: Nチャネル:
  • 最大 rDS(on) = 16.4 mΩ @ VGS = 6 V、ID = 8 A
    Q2: Nチャネル:
  • ブリッジ トポロジーの一次側の柔軟なレイアウトに最適
  • 端子は鉛フリーで RoHS 対応です
  • UIL 100%テスト済み
  • ケルビン ハイサイド MOSFET 駆動ピン配列機能

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1

製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDMD85100

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CAD Model

Pb

A

H

P

PQFN-8

1

260

REEL

3000

N

100

Q1=Q2=9.9

N-Channel

Dual

±20

4

Q1=Q2: 48.0

50

-

-

9.2

13.5

Q1=1590, Q2:1485

Price N/A

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